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(=｀′=) 比亚迪申请电极及其制作方法、电化学装置专利,可在满足快充性能或...活性层包括导电层和混合在导电层中的多个PN结,PN结包括P型硅与P型硅连接的N型硅,P型硅指向N型硅的方向为第一方向,多个PN结中,预定数量的PN结的第一方向的分量与集流体的法向重合。通过设置活性层包括导电层和混合在导电层中的多个PN结,并设置预定数量的PN结的第一方...

华为公司取得PN结及调制器专利,提高调制效率满足更高光信号调制...正文:金融界11月7日消息,据国家知识产权局公告,华为技术有限公司取得一项名为“PN结及调制器”,公开号CN113629129B,专利申请日期为2020年。专利摘要显示,本申请实施例提供一种PN结及调制器。PN结通过所述N型区域位于所述第二P型区域中,且所述N型区域的延伸方向垂直...

北京大学申请一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法...北京大学申请一项名为“一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法“,公开号CN117558620A,申请日期为2022年8月。专利摘要显示,本发明公开一种在GaN垂直结构pn二极管中实现JTE结终端的方法,属于宽禁带半导体材料领域。本发明通过在重掺p型GaN层靠近刻蚀边界...